在此背景下，終端系統公司（例如汽車 OEM）正在更快、更靈活地採用 SiC 來管理市場上多個晶圓供應商的供應...

3、高壓超充需求加速SiC器件滲透，國內龍頭企業有望充分受益憑藉耐高壓、耐高溫和高頻等優越的物理特性，SiC MOSFET有望在新能源汽車800V高壓超充時代替代Si IGBT，在主驅逆變器、充電樁、OBC等應用場景中加速滲透...

不僅如此，下游的手機產業鏈企業還面臨出售資產、壓縮成本支出的自救局面，短短一個月內就有飛榮達、新綸新材、卓翼科技等公司爭相出售資產，進一步反映出市場景氣下行的趨勢...

新材料SiC製成的第三代功率半導體器件未來將在製造工藝、結構改善方面進一步突破，商業化程序有望加速，2021年全球SiC器件市場規模已達84億元人民幣，預計2026年將增長到199...

目前，傳統矽材料在 MOSFET、IGBT、功率IC等領域的器件效能已經逐漸接近極限，已無法適應新興市場快速發展的變革需要，而碳化矽襯底相較於矽基器件具有更高的工作溫度、擊穿電壓以及優越的開關性質，其開關頻率和功率頻率都輕易突破了傳統材料的...

華潤微近期在互動平臺表示，公司目前碳化矽功率器件產能有1000片/月，有擴產計劃...

0技術的部分解讀，實際上，作為比亞迪重金打造的，希望能引領行業風向的全新平臺，它還有很多閃光的技術和理念，比如iTAC智慧扭矩控制系統、寬域高效熱泵系統、刀片電池等，以後有機會再跟大家講...

報告出品/作者：財通證券、張益敏、吳姣晨以下為報告原文節選————1. SiC 效能優異，材料 升級勢在必行SiC 是第三代寬禁帶半導體材料，在禁頻寬度、擊穿場強、電子飽和漂移速度等物理特性上較 Si 更有優勢，製備的 SiC 器件如二極體...

矽與碳的結合使這種材料具有出色的機械、化學和熱效能，包括：高導熱性低熱膨脹和優異的抗熱震性低功率和開關損耗高能效 ，高工作頻率和溫度（工作溫度高達 200°C 結點）小晶片尺寸（具有相同的擊穿電壓）本徵體二極體（MOSFET 器件）出色的熱...

SiC 效能優異，材料升級勢在必行SiC 是第三代寬禁帶半導體材料，在禁頻寬度、擊穿場強、電子飽和漂移速度等 物理特性上較 Si 更有優勢，製備的 SiC 器件如二極體、電晶體和功率模組具有 更優異的電氣特性，能夠克服矽基無法滿足高功率、高...

得益於400伏高壓平臺，讓小鵬G9的續航里程提升了7%和矽基器件相比，SiC碳化矽器件的優勢在於可以擊穿更高的電場強度、耐受更高的電壓以及具有更好的導熱效能和熱穩定性...

0裡，無論是自主研發的車用作業系統BYD OS，高效八合一電動力總成，扁線電機，高效能SiC電控，高壓充電，寬溫域高效熱泵系統，還是基於刀片電池打造的CTB電池車身一體化技術等等，都是掌握在比亞迪手裡...

露笑科技在2021年年度報告中也公開指出，“碳化矽為公司2022年的重點之重業務，為實現公司順利轉型升級及國家半導體行業獨立自主，公司將在2022年加快碳化矽專案的整體建設，儘快完成產能安裝，加大對碳化矽領域的研發費用，提供碳化矽的產品質量...

今天和大家聊聊市場、碳化矽襯底...

6mm，碳化娃小於0...

3.3、SiC 加速替換 Si 應用於功率器件，價量提升 高壓快充下架構改變： SIC 替代 IGBTSiC MOSFET 應用於逆變器，相較於 Si IGBT 具有耐高壓高溫、小體積、高頻、 低損耗等優勢，適用於高壓快充平臺，提升功率轉換...

技術路徑2.1 產業環節拆分IGBT產業大致可分為晶片設計、晶圓製造、模組封裝、下游應用四個環節，其中設計環節技術突 破難度略高於其他功率器件，製造環節資本開支相對大同時更看重工藝開發，封裝環節對產品可靠 性要求高，應用環節客戶驗證週期長，...

高頻高壓是第三代半導體材料器件的最大特性， 最早被應用的第三代半導體材料器件包括碳化矽（SiC）、高頻和短波器件， 目前應用市場已成熟，同時碳化矽（SiC）器件也適用於極端的工作環境...

效能完美替代，SiC器件未來將逐步替代傳統矽基器件：受益於優秀的材料特性，隨著量產和技術成熟帶來的成本下降，在新能源時代，SiC即將迎來屬於它的價效比“奇點時刻”：在新能源汽車的主逆變器、車載充電器、快速充電樁、光伏逆變器等場景中均有廣泛的...

以上就是蔚來基於第二代電驅動系統所做的全部工作，更高的效能和效率、更好的 NVH、全新的電機加熱方案，這所有的共同點是：無不依賴自研軟硬體工程的協同最佳化...