小米 GaN氮化鎵 充電器 Type-C 65W 充電黑科技 大功率快充|小巧易攜帶 支援手機、電腦、switch充電¥149京東購買與矽相比，GaN 的優勢歸結為兩個字——效率...

透過建立工作光伏器件的光伏引數模型，作者的模型捕獲了短路電流和開路電壓在缺陷區和低帶隙區域的帶隙與肖克利-奎瑟理論的偏差，並且前者是由於晶體畸變形成的深能級陷阱，後者是由於增加的 Sn4+ 含量提高了磁化率...

Zhang，et al...

也就是說，在很短的時間內（一皮秒），等離子晶體產生的大量熱電子會快速且重複地摻雜進二維半導體的導帶，從而大幅改變半導體的能帶結構...

導讀最近，美國能源部勞倫斯伯克利國家實驗室（Berkeley Lab）的科研團隊準確地測量出二維半導體材料二硫化鉬（MoS2）的帶隙，同時也揭示出一種強大的調諧機制，以及二維材料電子和光學特性之間的關係...

換句話說，電子被lattice在動量空間的Brillouin Zone boundary散射從而想成了一個能級禁區，禁區內不會有電子能級存在，從而電子也不會以這個能級對應的能量存在...

理解蜘蛛絲中超聲聲子帶隙和負色散區域的非定域非線性和結構的各向異性之間的關係，對於未來設計具有類似效能的仿生可調材料來說大有裨益...