隨著我們光刻相關技術的突破，ASML態度開始轉變了，大陸可能會造成高階光刻機...

當然也不是沒有辦法，根據1月1日快科技訊息，臺積電技術專家林本堅針對國產5nm晶片進行了表態，他在談及中芯國際的技術發展時，表示中芯國際不一定需要EUV光刻機，現有的裝置就能完成5nm製程晶片的生產...

臺積電的利潤與消費者市場需求的下降密切相關，在下游客戶的訂單不景氣的情況下，臺積電能否撐得過需求的衰退...

圖片來源：Lithography giant：ASML‘s rise技術路徑深刻影響了光刻機公司們的起起伏伏，我們總結了三個重要啟示：早期優勢有可能會轉化為阻礙ASML由於承襲了飛利浦的光刻機技術，在一開始採用的是油壓驅動，而非電動...

其實，早在2016年，華為就開始研發光刻機，而華為也不是孤軍奮戰，包括國望光學、科益虹源、華卓精科、上海微電子等國內頂尖晶片企業都在負重前行，並投入大量的資金和人才參與光刻機的技術研發...

這個專案涉及的是7nm的積體電路，以及相關的一些裝置、裝置、技術等，比如極紫外光刻技術光刻膠合成製造與刻蝕評估、EUV掩模檢測的光學系統設計與裝備整合、微納晶圓尺度製造的光學器件等...

而研發光刻機絕非易事，需要在機械、電子、化工、精密製造等多個領域，持續的大量的投資，俄羅斯脆弱的經濟能否支撐下去，仍是一個疑問...

據悉這種電子光束精度是比EUV要高的，可以用於後續光子晶片的製造，5nm晶片就已經需要在指甲蓋大小的空間，整合上百億根的電晶體，依靠目前的技術顯然是無法突破，而電子光束光刻機已經突破到了原子級，一旦成功研發並商用的話，ASML的技術很有可能...

中科院、清華、華為等先後掌握EUV光刻機核心技術，讓ASML公司坐立不安，在過去的一年裡，五次向中國市場示好，明確表示自己是一家歐洲企業，會全力幫助中企提升晶片製造能力，並在前不久正式宣佈將DUV光刻機的年產能提升至600臺，EUV光刻機的...

［1］國產晶片的5大誤區，半導體風向標［2］佳能21年來首次新建光刻機工廠，欲將產能翻倍，騰訊新聞［3］英偉達A800晶片將在中國發布可用於替代A100晶片，騰訊新聞...

面對美國收緊國際主流需求光刻機出貨範圍的意圖，ASML已經亮明瞭態度，非但不會妥協，反而還會繼續加大與中國大陸市的深入場合作...

所以，在華為這個“領頭羊”的帶領下，把國內光刻機方面的技術突破進行整合，國產EUV光刻機一定會早日實現突破，我們也一定會打造出屬於中國人自己的半導體晶片產業鏈...

參考資料：［1］國產晶片的5大誤區，半導體風向標［2］佳能21年來首次新建光刻機工廠，欲將產能翻倍，騰訊新聞［3］英偉達A800晶片將在中國發布可用於替代A100晶片，騰訊新聞...

在晶片規則的不斷升級下，斷供中國市場DUV光刻機的要求，被ASML以強硬的態度拒絕了，目前正在啟動一項120億歐元的計劃，致力於在2025年實現營收翻倍，這釋放出一種什麼訊號呢...

ASML覺得未來的晶片製造市場保持旺盛需求，為提供更多裝置，ASML計劃到2025年將DUV光刻機產能增加到600臺，EUV光刻機增加到90臺...

不同於採用矽片為基礎材料的傳統電子晶片，光子晶片主要是以Inp、GaAS等二代化合物半導體為基礎材料，不僅能避開摩爾定律帶來的物理極限，而且其製造門檻也更低，無需使用EUV光刻機...

在華為還是臺積電的第二大客戶時，臺積電的主要客戶並不全是美企，因此臺積電相對是自由的，還擁有定價權，漲價計劃也能自己做主...

不可否認的是，以目前光子晶片生產鏈還不能EUV光刻機取而代之，但現如今我們已經邁出“彎道超車”的第一步，所以，我們有理由相信在不久將來，中國科學家定會在半導體領域活出昇天...

不同於採用矽片為基礎材料的傳統電子晶片，光子晶片主要是以Inp、GaAS等二代化合物半導體為基礎材料，不僅能避開摩爾定律帶來的物理極限，而且其製造門檻也更低，無需使用EUV光刻機...

不同於採用矽片為基礎材料的傳統電子晶片，光子晶片主要是以Inp、GaAS等二代化合物半導體為基礎材料，不僅能避開摩爾定律帶來的物理極限，而且其製造門檻也更低，無需使用EUV光刻機...