電晶體縮小20%！三星釋出第二代GAA技術SF3

作為最早開始應用全環繞柵極（Gate-All-AroundT，簡稱GAA）技術的製造商，三星在3nm工藝上率先使用GAA電晶體。英特爾和臺積電目前最先進的工藝依然在使用上一代的FinFET工藝，目前轉向GAA的速度遠不及三星。

隨著三星在9月實現第一代GAA製程工藝量產之後，三星已經著手研發第二代GAA技術。三星負責晶片製造業務的執行副總裁Moonsoo Kang表示，與6月開始使用的第一代GAA技術相比，三星第二代GAA技術可以將電晶體尺寸縮小約20%。Kang還表示：“我們重注投資GAA技術”，“在尺寸縮小的同時，我們還提高效能和功率”。

三星研發的初代GAA技術叫做SF3E，已經於今年6月量產。第二GAA技術叫做SF3，將進一步縮小處理器的尺寸。更小尺寸的晶片無論是製造續航更長的智慧手錶、加速遊戲PC上的圖形處理，還是在智慧手錶和資料中心中構建新的人工智慧加速器，其作用對維持計算進步至關重要。

近年來，摩爾定律受到外界質疑，逐漸放緩的速度似乎在印證著它的沒落。但在實際上，摩爾定律是否失效目前尚無定論。不過每個電晶體成本增加已經是不爭的事實，對於想要透過最新晶片製造技術獲益的製造商來說，成本將是不得不考慮的問題。

寫在最後：事實上，英特爾和臺積電都陸續公開部分GAA電晶體的設計理念，但何時應用目前尚無定論。三星3nm GAA已經證實發布，但三星方面並未公佈使用該工藝的客戶；迅速公開第二代GAA，三星的最終目標還是與臺積電爭奪潛在的客戶。