美光宣佈成功“繞開”EUV光刻機, 中國半導體行業是否迎來利好?

近日，一條爆炸性的訊息傳出，美光宣佈，成功繞開EUV光刻機，瞬間引發了廣泛的關注度。

大家都知道，EUV光刻機是當下最先進的光刻機，但我們因為美國的禁令，一直沒辦法拿到EUV光刻機，倘若有機會繞開它，那對於我們中國半導體行業的發展來說，無疑是一個巨大的好訊息。那麼具體的情況是怎樣的呢？今天這條影片我們就來聊聊這個話題。

頭幾天，美光宣佈，採用全球最先進1β（1-beta）製造工藝的DRAM記憶體晶片已經送樣給部分手機制造商、晶片平臺合作伙伴進行驗證，並做好了量產準備。

1β工藝可將能效提高約15％，儲存密度提升35％以上，單顆裸片（Die）容量高達16Gb（2GB）。

並且，新產品在效能、密度、能效上都有顯著提升，尤其可以改善拍照啟動、夜景模式和人像模式的成像速度和清晰度、無抖動的 8K 影片錄製、手機影片剪輯等應用的體驗。

除了移動應用，1 β 記憶體產品還具備低延遲、低功耗、高效能的特點，可滿足智慧汽車、資料中心等應用所需的快速響應、實時服務、個性化、沉浸式體驗。

另外，1β產品已經率先在LPDDR5X上進行出樣，1 β LPDDR5X 記憶體還支援全新 JEDEC 增強型動態電壓和頻率調節擴充套件核心技術，從而更加節能。

但是最引人注目的點是，美光表示，1β製造工藝無需使用EUV光刻機，DUV光刻機就可以製造。那麼這種工藝到底是幾奈米呢？

實際上，這次美光宣佈的1β工藝是10nm級別的第五代，前4代分別是1x、1y、1z、1α。也就是說，單純從工藝上來看，本身是不需要使用EUV光刻機的，因為DUV光刻機可以支援7nm以上的工藝製程。所以，這或許就是傳聞美光新工藝繞開EUV光刻機的最初原因。

那麼為什麼美光在釋出1β工藝的同時，要對外透露了目前並不依賴EUV光刻機呢？

美光表示，是為了規避技術風險，所以採用了成熟的製造工藝和技術進行1β的生產，例如使用多重曝光技術和浸潤式光刻技術，這裡指的應該就是使用DUV光刻機了。

那麼前面提到的風險可能包含兩個層面，一是類似我們面臨的情況，如果拿不到EUV光刻機，一切都白塔。當然，對於美光來說，這種可能性不大，畢竟美光是美國公司。除非，你沒能力買到。

二是拿不到足量的EUV光刻機，因為這種裝置目前還是搶手貨，全球各大晶圓廠都在買，可能得排號、看關係，所以如果先期投入大量的資金、人才去開發EUV生產技術，如果沒有足夠的生產裝置，那錢就有可能打水漂了，業務甚至是企業很容易被EUV光刻機拖累、拖死。

畢竟光刻機可不像普通玩具，買到手、鼓弄幾下就明白怎麼玩了。即便是把EUV光刻機擺在面前，想要生產出5nm以下的晶片，也不是一早一夕就能完成的。

當下，全球的手機、電腦等數碼產品的銷量不斷下滑，相關的行業巨頭們的日子也不太好過，尤其是儲存晶片企業，可以說，整個行業的發展顯露出一絲危機。

例如，根據市場調查機構DRAM Exchange的調查資料顯示，個人電腦DRAM通用產品（DDR48Gb 1Gx8）10月份的平均固定交易價格為2。21美元，與上月的2。85美元相比下降了22。46%，為2016年6月以來的最大跌幅。

另外，根據美光9月29日披露的6-8月季度報告中的資料顯示，該公司期間收入為66。4億美元，環比下跌約23%，同比下跌約20%，淨利潤率更是跌至22。45%，而去年同期的淨利潤率還曾高達35。7%。

這都說明，市場在萎縮，利潤在減少，所以如果投入過多，將會有很大的風險，穩下來，保證在現有的資源下，能夠開發出新一代的產品才是良策。

其實看到繞開光刻機的訊息，我跟很多朋友一樣，都會眼前一亮。這說明大家都在期盼著，有什麼技術路線或者方法，可以繞開EUV光刻機，不使用這個被卡脖子的裝置去生產製造先進工藝的晶片。

心情可以理解，但現實就是現實，美光這次的記憶體晶片是10nm工藝，使用DUV光刻機多次曝光即可。

當然，美光這次的工藝要比競爭對手三星、海力士的複雜一些，因為記憶體晶片跟處理器晶片的道理是一樣的，在同樣的面積上，如果電晶體數量越多，計算能力就越強，效能也就越出色。所以，不使用EUV光刻機，在面積差不多的情況下，就需要有額外優秀的設計方案和工藝技術方法，才能保證晶片最終可以獲得更好的效能。不過從美光透漏的資訊來看，1β工藝的產品，效能出色。

這或許也可以給我們一些引導，那就是不要刻意的去追求EUV光刻機，就像我剛才說的，只要在現有的資源條件下，能夠實現與其他同類產品競爭的能力，就足夠了。盲目的追求高階，可能會引發很多問題，畢竟心急吃不了熱豆腐，更何況，這不是一盤簡單的菜，而是一個滿漢全席。