SK 海力士介紹 238 層 4D NAND 快閃記憶體：傳輸速度提升 50%

IT之家 8 月 3 日訊息，今天早些時候，SK 海力士官宣全球首發 238 層 512Gb TLC 4D NAND 快閃記憶體，將於明年上半年投入量產。現在，SK 海力士官方發文對其最新技術進行了介紹。

據介紹，SK 海力士 238 層 NAND 快閃記憶體在達到業界最高堆疊層數的同時實現了全球最小的面積。

SK 海力士在 2018 年研發的 96 層 NAND 快閃記憶體就超越了傳統的 3D 方式，並匯入了 4D 方式。為成功研發 4D 架構的晶片，公司採用了電荷捕獲型技術 （CTF，Charge Trap Flash） 和 PUC （Peri。 Under Cell） 技術。

相比 3D 方式，4D 架構具有單元面積更小，生產效率更高的優點

。

官方稱，新產品每單位面積具備更高的密度，借其更小的面積能夠在相同大小的矽晶片生產出更多的晶片，

因此相比 176 層 NAND 快閃記憶體其生產效率也提高了 34%

。

此外，

238 層 NAND 快閃記憶體的資料傳輸速度為 2.4Gbps，相比前一代產品提高了 50%，晶片讀取資料時的能源消耗也減少了 21%

。

IT之家瞭解到，SK 海力士計劃先為 cSSD 供應 238 層 NAND 快閃記憶體，隨後將其匯入範圍逐漸延伸至智慧手機和高容量的伺服器 SSD 等。SK 海力士還將於明年釋出 1Tb 密度的全新 238 層 NAND 快閃記憶體產品。