PCIe4.0&Xtacking 2.0——致態TiPro7000 1TB首發評測

作者：不懂固態的學僧

一、前言

作為國內的主流NAND Flash原廠廠商，長江儲存自從其推出基於Xtacking架構的NAND產品，就備受國內市場關注，64Layer 3D TLC產品（Xtacking1。0）則是在一年前實現了大規模的出貨，廣泛應用於商用級以及消費級產品。

由於採用Xtacking結構的NAND產品較為新穎，在電氣效能方面還有許多待改進的地方，這也對下游的主控適配廠商帶來了不小的挑戰，但其顆粒效能和壽命仍然有接近主流原廠的能力，受到了市場廣泛的推崇。特別是其顆粒高達3000PE的耐用度和甚至超過了某些原廠的顆粒效能，從而使採用長江儲存顆粒的SSD可以擁有超過主流水平的TBW和頻寬、直寫效能等，受到了某些重度使用使用者的好評。

基於新架構的長江儲存顆粒自從面世就有著高密度、高速率、高品質的特點，筆者曾也為探尋其顆粒結構和優勢所在，對長江儲存的64Layer顆粒進行了光學顯微鏡和電學顯微鏡的表徵，如下圖所示。光鏡和電鏡影象顯示，長江儲存顆粒在平面上以2Plane形式分佈，而在縱向截面圖下顆粒堆疊呈傾斜分佈，且共有72Layer，筆者猜測多出的8Layer為工藝製程的冗餘，用於確保顆粒具有64Layer的可用NAND單元。

Xtacking技術透過在兩片晶圓上獨立製作CMOS外圍電路和NAND儲存陣列，再透過金屬線進行鍵合，相比傳統架構減小了外圍電路所需空間，簡化了工藝，擁有更高的效能、可靠性和儲存密度。

相比於128Layer 3D QLC的產品，新一代TLC NAND Flash的容量規格僅有512Gb一種，其公開的規格資料如圖所示。在封裝規格上與上一代相同，仍為BGA132/BGA272；

按照常規封裝QDP/ODP/HDP，512Gb的Die理論上可能存在單顆容量256G至1T的快閃記憶體顆粒。作為長江儲存旗下的SSD品牌致鈦此前已釋出了基於64Layer TLC的NVME SSD PC005和SATA SSD SC001、PSSD 木星10，筆者此次有幸參與了致態TiPro7000 PCIE4。0 SSD的首發評測。作為長江儲存致態原廠釋出的首款基於Xtacking2。0技術的SSD，它搭載了來自英韌科技的IG5236主控和長江儲存第三代3D NAND高品質TLC顆粒，單Die容量512Gb。

二、開箱&外觀

包裝&盤體：

總的來說，致態新品外包裝和盤體標籤佈局延續了上一代產品的簡約風格，除了原廠Xtacking標識外，包裝上還有最高速度7400MB/s和PCIe4。0、內含散熱器的標識；在配件方面除了常規的說明書和附送螺絲外，還附送了原裝的可拆卸散熱器及其配套螺絲、安裝說明，官方宣稱該散熱器可降低約30的使用溫度。

撕開貼紙可以看到，產品NAND顆粒編號為YMN09T1C1B1HC6C，單顆容量為256GB，單Die 512Gb，QDP封裝，雙面四貼設計，顆粒頻寬1600MT/s。

DRAM來自三星，編號K4A4G165WE-BCRC，為21年25周出廠，型號為三星 E-DIE，單die容量256Gb，HDP封裝，DDR4 2400MHz速率，工作電壓1。2V，封裝規格96FBGA，工作溫度範圍0-85，共使用兩顆。

主控是來自英韌科技的IG5236CAA，該主控是定位於高階家用和資料中心級別的主控，PCIE4。04速率，NVME1。4協議，理論引數如圖所示。該主控採用包括AES、國密標準SM2/3/4、SHA、RSA、ECC、CRC和端到端資料保護在內的多種資料加密和保護機制，實現了最高級別的安全效能；英韌科技除這款產品外還有包括PCIE3。0速率的Dramless產品和PCIE4。04速率的企業級資料中心主控；帶dram的產品線均支援DDR3/4以及LPDDR3/4，但在支援的顆粒位寬上有區別。在製程工藝上，帶DRAM的產品為12nm FinFET工藝，無Dram的則為28nm成熟工藝。