2022 LS30 | 長江儲存晶棧Xtacking架構如何成為儲存行業一枝獨秀

ZAO 2022中關村線上年度觀察推選年度領先解決方案Leading Solutions 30（以下簡稱LS30），為行業使用者提供更好的選擇，助力行業優質解決方案與技術方案。

中關村線上認為，2021年長江儲存推出的致態TiPlus7100採用的架構技術可以參與本次終極評選。致態TiPlus7100採用長江儲存獨有的晶棧？Xtacking？架構，儲存密度和效能都大幅提升，即使採用了DRAMless技術，最高連續讀寫效能也達到了7000MB/s和6000MB/s，同時也能耗也大幅降低，無需散熱片即可長時間穩定執行，成為最新平臺裝機優秀的固態硬碟產品之一。

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晶棧?Xtacking?架構對儲存行業的意義

在3D快閃記憶體中除了儲存陣列之外，還有一些外圍電路會佔據20~30%芯片面積。傳統的快閃記憶體將外圍電路與存放到Array儲存單元下方，長江儲存的Xtacking？是把儲存陣列和外圍電路分開來做，分別在兩個晶圓上加工，然後透過垂直互聯通道把它們鍵合、接通電路。因此對於固態儲存行業來說，晶棧？Xtacking？技術可謂一枝獨秀，這主要體現在三個方面：

效能：實現了更多的I/O通道數量和高達2400MT/s的I/O介面速度，符合ONFI 5。0標準，與前一代產品相比，效能提高了50%。

儲存密度：晶棧？Xtacking？ 3。0架構已成為YMTC長江儲存歷史上位元密度最高的快閃記憶體產品，在超緊湊的單晶片上實現了1TB的儲存容量。

升級的系統級產品體驗：創新的6平面設計，每個平面都支援同步多平面獨立執行，與傳統的4平面架構相比，新架構的效能可提升50%，而功耗可降低25%，

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技術解讀：晶棧?Xtacking?架構

從原理看，YMTC長江儲存的晶棧？Xtacking？架構是兩片獨立的晶圓上，分別加工外圍電路和儲存單元，在邏輯工藝上有著更多的自主選擇性，從而讓NAND獲取更多的I/O通道、更高的介面速度，例如最新的晶棧Xtacking？架構NAND具備四快閃記憶體通道和高達2400MT/s的介面頻寬。

3D NAND顆粒最重要的發展方向是儲存密度的最佳化。在傳統3D NAND架構中，外圍CMOS電路約佔芯片面積20~30%，而晶棧？Xtacking？技術創新的將外圍電路置於儲存單元之上，從而實現比傳統3D NAND更高的儲存密度，芯片面積可減少約25%，同等面積基礎上，Xtacking？架構能夠提供更多的儲存單元。單晶片上實現了1TB的儲存容量。

除此之外，Xtacking？工藝儲存單元和外圍CMOS線路獨立加工的特性，可以實現並行和模組化的靈活生產，較於傳統結構產品研發週期可縮短三個月，生產週期可縮短20%，使得長江儲存NAND的出貨量也得到大幅提升。

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行業影響：力爭國際水準 加速國內SSD產業升級

從1。0到3。0，YMTC長江儲存的晶棧？Xtacking？這個異構的3D整合架構，已經建立了一個成熟的體系，並誕生基於Xtacking？架構 NAND的系統解決方案的多樣化組合，包括SATA III、PCIe Gen3和Gen4 SSD，以及用於移動和嵌入式應用的eMMC和UFS，並獲得了領先OEM的認可。

以Xtacking？ 3。0為核心，YMTC長江儲存的第四代3D NAND是一種尖端的產品，擁有更高的儲存密度，最佳化的效能，並提高了耐久性、質量和可靠性，符合JEDEC等嚴格的測試標準。由於最新工藝改進，現在還能以更高的成本效率獲得增強的可擴充套件性。

04 總結

LS30年度領先解決方案具備強大的核心技術和引領產業發展的領導力。依託於技術研發實力、技術創新能力以及技術拓展潛力，不斷為使用者提供執行速度更快、效能更好且體驗更佳的主流應用技術、優質企業商業產品和解決方案，並持續推動產業發展。

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