三星DDR6將何時推出？有哪些優勢呢
近日，三星在Samsung Foundry Forum 2022活動中表示，今年三星將進入1bnm工藝階段，記憶體晶片容量將達到24Gb（3GB）-32Gb（4GB），原生速度將在6。4-7。2Gbps，新一代GDDR7視訊記憶體將在明年問世。此外，三星計劃2026年推出DDR6記憶體，2027年實現原生10Gbps的速度。
在DDR6記憶體晶片的開發中，三星將使用MSAP，也就是改良型半加成工藝（Modified semi-additive process）。資料顯示，MSAP起初應用於IC載板高精密線路製作，技法是首先在附有超薄底銅的基板上貼合幹膜使用正片進行圖形轉移，再透過圖形電鍍加成形成線路，最後去除幹膜和底銅完成高精密佈線，以實現提升PCB的高頻高速效能。
和當前三星使用的隆起法相比，MSAP在空白部分也要鍍層。DDR6的儲存容量和處理速度將大幅增加，需要更多的堆疊層數，對封裝技術來說既是機遇也是挑戰。友商已經先於自己在DDR5顆粒上使用MSAP技術了。
事實上，雖然出貨上仍舊是DRAM龍頭老大，但三星在技術開發上的確出現落後，拋開上文的MSAP，1a DRAM晶片量產進度也不及SK海力士和美光。值得一提的是，根據早先爆料，DDR6記憶體的頻率預計在12~17GHz，問世起碼還要5年時間。
DDR6技術有哪些優勢呢？
ddr6屬於第六代版圖形用雙倍資料傳輸率儲存器，也就是顯示卡的快取。GDDR6 是目前最新六代技術，相比目前主流的GDDR5更先進，頻率更高，更有利於提升顯示卡效能。
一般來說，視訊記憶體也是影響顯示卡效能的一個因素，GDDR6作為GDDR5的下一代，主要是升級瞭如下幾個方面。
視訊記憶體GDDR6和GDDR5區別對比
1、GDDR5X/5/4/3/2/1視訊記憶體等版本，都是屬於單通道讀寫設計，而GDDR6視訊記憶體採用雙通道讀寫設計；
2、GDDR6視訊記憶體速度高達16Gbps，而GDDR5只有12Gbps。
3、GDDR6的工作電壓相比上一代GDDR5視訊記憶體有所降低，這就意味著GDDR6不僅效能更加強勁，功耗也會更低一些。
4、GDDR6視訊記憶體標準未來最高快取容量能夠高達32Gb，而上一代GDDR5最常見的都是8Gb單顆粒。
5、GDDR6視訊記憶體頻寬能夠達到16Gbps×384bit÷8=768GB/s，以GTX1080為例，其視訊記憶體頻寬為11*256/8=352GB，頻寬幾乎提升了一倍。
DDR6技術還有哪些難題？
與前幾代產品一樣，DDR6 RAM 旨在將 DDR5 的最大資料速率提高一倍。如果您正在為 DDR6 RAM 創新模組，仍然有很多未解決的問題。人們普遍認為匯流排不會更寬，而且 DDR5 的速度已經快到足以撞上所謂的“記憶體牆”。這使得調製（例如 PAM 或 QAM）成為提高資料速率超過完全模擬通道（例如 100G 乙太網）的最後可用選項。
由於進入模擬高速通道會破壞我們對 DDR 的瞭解，您可能會看到 PAM 或 QAM 與控制器中嵌入的一些專有均衡方案相結合。雖然主要挑戰在於 IC 設計人員，但當我們檢視 DDR6 RAM 通道中使用的高頻寬訊號時，電路板設計人員仍有許多需要解決的問題。
DDR6 RAM 中的挑戰主要發生在晶片級，但 DDR5 中相同的板級挑戰也適用於 DDR6 RAM。我上面提到的 DDR5 中的電源完整性挑戰不會在 DDR6 RAM 中消失。一旦對 DDR6 訊號施加調製，DDR6 的電源完整性挑戰就是將平坦的 PDN 阻抗擴充套件到更高的訊號頻寬。將平坦的 PDN 阻抗擴充套件到更高的頻率就是要使 Tx 側的抖動保持在較低水平，從而使 Rx 側的 ISI 保持足夠低，以便可以透過均衡來解析訊號。DDR5 模組的板載電源管理 IC 可能還會出現在 DDR6 RAM 模組上，以幫助調節整個模組的電源。
DDR6研究得怎麼樣了？
三星早些時候推出了其首款用於顯示卡的 24Gbps GDDR6 DRAM 晶片，報道稱，該公司處於 DDR6 開發的早期階段，根據去年的一份報告，其 DDR6 設計可能會在 2024 年完成。預計 DDR6 的速度是 DDR5 的兩倍，記憶體通道數也是 DDR5 的兩倍。DDR6（JEDEC）可以實現大約 12800Mbps 的傳輸速率，或支援超頻到 17000Mbps。
目前，三星最快的 DDR5 DIMM 具有高達 7200 Mbps 的傳輸速度，因此 DDR6 將提高 0。7 倍，超頻下將提高 1。36 倍。近期，三星進行了一些長遠的設想，如 2026 年推出 DDR6 記憶體，2027 年即實現原生 10Gbps 的速度。
三星也公佈了其快閃記憶體的路線圖，預計將在 2024 年推出 V9 NAND 晶片。三星在此前的 Tech Day 2022 活動中指出，其第九代 V-NAND 正在開發中，計劃於 2024 年量產。到 2030 年，三星設想 NAND 堆疊超過 1，000 層，以更好地支援未來的資料密集型技術。三星還宣佈，全球最高容量的 1Tb TLC V-NAND 將於今年年底向客戶提供。
