入門必看！MOS管各項引數分別是什麼含義
在
金譽半導體
的產品列表中，每個產品都有很多引數，密密麻麻的引數不清楚究竟表達了什麼意思，那今天來看看
MOS管
的產品引數分別是什麼含義呢？
中文部分的不用過多解釋，接觸過半導體行業的人一般都能理解，所以今天著重解釋一下英文部分的引數含義（金譽半導體官網目前只展示了部分重要引數）。
Vds
也就是電壓，這是
MOS管
極限引數表示
MOS管
漏極與源極之間的最大電壓值。值得注意的是，該引數與結溫有關，通常結溫越高，該值最大。
Rds（on）
漏源導電阻，表示
MOS管
在一定條件下導通時，洩漏極之間的導通電阻。這個引數和
MOS管
結溫，驅動電壓
Vgs相關。在一定範圍內，結溫越高，Rds驅動電壓越高，Rds越小。
Id
漏極電流通常有幾種不同的描述方法。根據工作電流的形式，連續洩漏電流和一定脈寬的脈衝洩漏電流
（Pulsed drain current）。這個引數同樣是
MOS管
一個極限引數，但這個最大電流值並不意味著洩漏電流可以在執行過程中達到這個值。這意味著當殼體溫度在一定值時，如果
MOS管
如果工作電流為上述最大洩漏電流，結溫將達到最大值。因此，該引數還與裝置包裝和環境溫度有關。
Vgs
這也是柵源最大的驅動電壓
MOS管
極限引數表示
MOS管
一旦驅動電壓超過這個極限值，即使在很短的時間內，也會對柵極氧化層造成永久性傷。一般來說，只要驅動電壓不超過極限，就不會有問題。然而，在某些特殊情況下，由於寄生引數的存在，它將是正確的
Vgs需要特別注意電壓的不可預測影響
Idm
最大脈衝
DS電流。它會隨著溫度的升高而降低，反映抗衝擊性，這也與脈衝時間有關
Pd
最大耗散功率
Tj
最大工作溫度通常為
150度和175度
Tstg
最大儲存溫度
Iar
雪崩電流
gfs
跨導
，
是指洩漏電極輸出電流與柵源電壓變化之比，是柵源電壓控制洩漏電流的能力。
Qg
在驅動訊號的作用下，柵極電壓從
0V上升至終止電壓（如15V）所需的充電電荷。也就是說，
MOS管
驅動電路從截止狀態到完全導通狀態所需的電荷是評估
MOS管
驅動電路驅動能力的主要引數。
Qgs
G總充電電量
Ear
重複雪崩擊穿能量
Eas
重複雪崩擊穿能量
BVdss
雪崩擊穿電壓
Idss
IDSS表示洩漏電流，柵極電壓VGS=0、VDS一定值時漏源，mA級
Igss
IGSS表示柵極驅動漏電流，越小越好，對系統效率影響較小，uA級的電流
Qgd
柵漏充電
（考慮到Miller效應）電量
Td（on）
延遲時間
，
從輸入
GS電壓上升到 10%，開始到 VDS 下降到其幅值 90%。
Tr
上升時間
，
輸出電壓
VDS 時間從90%下降到10%。
Td（off）
關閉延遲時間
，
從輸入
GS電壓下降到 90%到 VDS 上升到其關斷電壓時 10%的時間。
Tf
下降時間
，
輸出電壓
VDS時間從10%上升到90%
Ciss
輸入電容，
Ciss=Cgd Cgs。 短接洩漏源，用交流訊號測量的柵極與源極之間的電容為輸入電容。Ciss由柵漏電容Cgd和柵源電容Cgs並聯而成。
Coss
輸出電容，
Coss=Cds Cgd。 用交流訊號測量的洩漏極與源極之間的電容器短接柵源。Coss由漏源電容Cds並聯網源電容。
Crss
反向傳輸電容，
Crss=Cgc。在源極接地的情況下，測量漏極與柵極之間的電容相當於反向傳輸電容（Cgd越低越好）
最大額定引數
最大額確定引數，所有數值取得條件
（Ta=25℃）
以上就是
MOS管的各項引數所表示的含義，你們瞭解了嗎？如有遺漏，歡迎在評論區補充噢~
