三星的下一代 DDR6GDDR6+ 記憶體將比現有方案快2倍

根據sammobile的訊息，三星半導體正在開發全新的 DDR6 記憶體， DDR6標準的速度將是現有的DDR5解決方案的兩倍，但至少需要等待幾年才能釋出。

ComputerBase

最近的一份報告稱，三星目前正處在DDR6的早期開發階段，不過在與合作伙伴的持續合作後，DDR6的標準或許會在2024年最終確定。

DDR6記憶體的速度會比現有的DDR5記憶體快兩倍，因此未來能夠實現最高大約 12，800Mbps 的傳輸速率，甚至是超頻到 17，000Mbps。 DDR6的記憶體通道也將是DDR5的兩倍，也就是擁有4個16位通道和最高支援64個記憶體條。此外三星或許還將把能效提升20%。

而在DDR6記憶體和DDR7記憶體之間，三星或許將提供GDDR6+記憶體。據信 GDDR6+ 記憶體的速度最高可達每針 24Gbps，這意味著具有 256 位匯流排的 GPU 可以實現高達 768GB/s 的頻寬。反過來，具有 320 位或更高匯流排的 GPU 可能會超過 1TB/s 的頻寬。

當然全新的記憶體顯然能夠顯著提升智慧手機電腦，甚至是新款顯示卡的效能表現，不過距離三星正式釋出DDR6記憶體還有很長時間，目前市面上的主流依然還會是DDR5。